半導體微影製程中的壓電定位應用
光學微影（Photolithography）是半導體製造中的關鍵製程。
製程始於一片承載電子電路圖形的光罩——光罩本質上就是在矽晶圓上製作晶片所使用的圖案模板。接著讓 UV 或 EUV 光穿過光罩與一系列透鏡照射到晶圓上，在矽晶圓上形成圖案。此過程反覆進行，直到矽晶圓的所有層都完成圖形化，圖形化後的晶圓才能進入下一道製程。以光學微影完成的圖案轉移，是晶片製造中極為精密且複雜的關鍵製程。
半導體微影製程極度精密，通常包含壓電定位元件
如同半導體製造的每一個環節，微影過程中晶圓的定位極為重要——晶圓一旦偏離位置，矽材上的圖案就無法正確成形。因此，壓電平台被廣泛用於此製程中的晶圓定位。壓電平台可提供最多 5 軸運動，具備奈米級與微弧度級精度，是這項高度精密製程的理想解決方案。
微影過程中同樣重要的是透鏡／物鏡的定位——它們負責將光聚焦於晶圓上。piezosystem jena 的定位平台與顯微物鏡定位器（MIPOS）正是為這項任務而生。
常見問題
微影製程裡壓電平台負責什麼？
負責晶圓定位。晶圓一旦偏離位置，矽材上的圖案就無法正確成形，而壓電平台可提供最多 5 軸運動、具備奈米級與微弧度級精度，適合這種高度精密的製程。
除了晶圓，還有哪個環節需要精密定位？
透鏡與物鏡——它們負責把光聚焦到晶圓上，定位同樣關鍵。piezosystem jena 的定位平台與顯微物鏡定位器 MIPOS 就是為這項任務設計的。
光學微影的圖案是怎麼轉移到晶圓上的？
製程從承載電子電路圖形的光罩開始，讓 UV 或 EUV 光穿過光罩與一系列透鏡照射晶圓，在矽晶圓上形成圖案，反覆進行直到所有層都完成圖形化。圖形化後的晶圓才能進入下一道製程。